2015-06-02：透明陶瓷荧光体。海西研究院曹永革团队以研发的LED高光效陶瓷封装核心技术作价入股，联合科研团队、创投机构，成立福建中科芯源光电科技有限公司，完成了全球第一条透明陶瓷荧光体生产线。用该技术制造的透明陶瓷荧光体，保证了LED光源的热稳定性。预计今年底，公司透明陶瓷荧光体年产量将超过950万片。

2015-05-18：陶瓷衬底--三安光电。中国科学院海西研究院、三安光电股份有限公司与福建中科芯源光电科技有限公司签署三方协议共同开发《透明陶瓷荧光体作为外延衬底的LED芯片》三安光电股份有限公司是福建中科芯源光电科技有限公司就《透明陶瓷荧光体作为外延衬底的LED芯片》开发期间的唯一合作伙伴。╋2014-07-10：中科院海西研究院将造国产品牌芯。拟联合研发透明陶瓷荧光体外延衬底LED芯片产业化技术。中科院海西研究院将自主研发的透明陶瓷荧光体技术用于替代传统荧光粉作为发光材料，生产透明陶瓷荧光体外延衬底LED芯片，解决LED高稳定性、高光效和低成本的世界难题。中科芯源是海西研究院LED产业的唯一产业化平台，目前已拥有全球第一条透明陶瓷荧光体生产线。三安光电是全球最大的LED芯片供应商之一。中科院海西研究所此项新技术若成功产业化将颠覆现有的全球LED芯片产业格局，大幅降低LED生产成本。目前产品已进入实验室阶段，预计一两年内，新产品将走向市场。届时，LED的价格将下降50%以上。目前LED封装技术中倒装芯片为最重要的技术发展路线。随着材料进步与相关工艺问题的解决，倒装芯片封装中的无基板封装技术将主导大部分未来市场。中科院海西院、三安光电、中科芯源三方将联合研发透明陶瓷荧光体外延衬底LED芯片产业化技术，以透明陶瓷荧光体衬底取代现有的蓝宝石衬底，进行芯片外延生长，利用原有的倒装芯片制造工艺完成白光芯片封装。此技术若成功产业化将带来LED芯片的技术革命，使我国突破LED芯片专利的封锁，并大幅降低LED的生产成本，彻底颠覆现有的LED芯片产业格局，提高我国半导体照明产业的国际竞争力。

2015-01-08：透明陶瓷材料。高压钠灯用半透明氧化铝管，　陶瓷金卤灯用半透明氧化铝一体管，AlON 透明陶瓷，高热导氮化铝(AlN)陶瓷材料等。

2014-07-17：中科院、三安光电、中科芯源助推LED芯片产业化新技术。

§ GaN衬底

■ GaN行业与企业资讯(苏州纳维科技有限公司）

■ 三菱化学液相沉积法造GaN晶体 ， 三菱化学

§蓝宝石衬底

■(2012-9-18)大陆蓝宝石基板厂积极投入PSS开发:大举采购Lithography与Etching设备,预计2012年总产量将超过一千万片，远高于传统平面蓝宝石基板二百五十万片的产能。到2014年PSS年总产能更将上看二千万片以上，而传统平面蓝宝石基板产量则不到二百五十万片。

■(2012-8-2) 苏州海铂:晶体10英寸蓝宝石衬底问世,良品率达80%以上。

■（2012-5-25）贵州皓天重达111.40公斤的HEM蓝宝石晶体。

■（2012-1-6）6寸蓝宝石基板需求将攀升。Rubicon目前为2-4寸晶圆龙头厂商，将开始量产6寸、8寸抛光蓝宝石晶圆。Rubicon马来西亚新厂房生产的6寸晶圆在2011年6月已获得某重要客户认证，同时也成功完成ISO验证稽核。某机构指出，采用6寸蓝宝石基板的LED比重将在2012年攀升至16%，并于2015年进一步攀升至超过55%。此外，已有数家LED制造商开始研发8寸晶圆。

美国Rubicon推出巨型蓝宝石晶体 重达200KG 2009-04-23 美国卢比肯科技公司（Rubicon Technology Inc.）成功推出一种巨型蓝宝石晶体，该公司称其为“世界上最大的蓝宝石晶体”，这种“超级人造蓝宝石”重达200kg（441磅）。 Rubicon公司表示，由于其具备专有的ES2晶体生长技术和蓝宝石处理工艺，因此将在未来几年里推出更大尺寸的蓝宝石晶体，从而为消费者提供大尺寸的光学窗口材料和超过12英寸的新一代外延片产品。Rubicon公司目前已批量生产重达85kg的蓝宝石晶体，并供应高达8英寸的大直径蓝宝石外延片产品，和高达10英寸的光学窗口材料。

台聚光电研发120公斤长晶炉 2011年12月30日 越峰（8121）子公司台聚光电今天宣布，研发全亚洲最大120公斤级商业量产长晶炉，将适合发展大尺寸LED用蓝宝石基板。 蓝宝石晶棒厂商越峰下午发布新闻稿表示，台聚集团旗下公司台聚光电（2010年由母公司越峰电子分割）2006年由欧洲导入Kyropoulos蓝宝石长晶技术，于2007年3月完成蓝宝石单晶主导性新产品开发辅导计划后，便致力于长晶技术与长晶设备开发。 越峰说，台聚光电自制20、30、70、90公斤长晶炉，所生产的2、4、6吋蓝宝石晶棒已获美、日、韩及台湾等客户肯定。 越峰表示，台聚光电目前生产主力为70到90公斤级晶体，12月更成功研发出全亚洲最大的120公斤级商业量产长晶炉，大尺寸晶体除可大幅降低生产成本外，同时更适合尺寸大于6吋以上的晶棒生产。 越峰说，目前可供应生产LED用蓝宝石长晶炉主要有GT-Solar 的100公斤级长晶炉，美国TT的90公斤级长晶炉， ARC-energy的30公斤级长晶炉及俄罗斯的35公斤级长晶炉，但是台聚光电自行开发出的120公斤级晶体更适合发展大尺寸LED用蓝宝石基板。 越峰表示，由于LED照明的应用趋势朝向大尺寸基板发展，为了满足市场6吋以上基板的需求，台聚光电未来扩产将以120公斤的长晶炉为主力。

●Advanced Renewable Energy Company，LLC (ARC Energy)8月3日公布的官方消息，ARC Energy已经与两家领先的亚洲制造商签署了价值9690万美元的新合约。根据合约条款，ARC Energy将分别为这两家客户提供LED蓝宝石加工设备与技术，包括高度自动化的尖端c轴CHES(Controlled Heat Extraction System)熔炉以及附加的统包解决方案和服务。（2011-08-04）

●美国晶体生长设备和高温炉制造商Thermal Technology总裁兼首席执行官Matt Mede日前也高调宣称公司已具备每周4台、每年200台晶体生长炉的生产能力。（2011-08-04）

●在完成收购Crystal Systems （Crystal Systems, Inc.）后的短短一年，GT Solar的蓝宝石长晶炉订单就达到9.396亿美元，而其中中国大陆客户的订单就超过7.6亿美元，也就意味着在所有的蓝宝石设备订单中，超过80%是来自于中国大陆客户。面对这些订单，GT Solar亚洲区市场总监姚运宁自豪地对高工LED记者表示：“目前从订单的市场份额来说是GT Solar在蓝宝石长晶炉是处于垄断地位的”。（2011-08-04）

GT Solar蓝宝石长晶炉的订单：

GT Solar Receives $218.9 Million Order for Advanced Sapphire Crystallization Furnaces from Guizhou Haotian Optoelectronics Technology Co. LTD

改名：多晶硅生产技术及设备供应商GT Solar于美东时间2011年8月8日宣布，公司名字由GT Solar更新为GT Advanced International，股票代码则由“SOLR”变更为“GTAT”。GT Solar目前服务于太阳能、LED和其他专业市场。GT Solar称新的公司名称体现了公司自2010年7月收购Crystal Systems后，现在所涉猎的广泛市场范围及提供的广泛技术。

●【2012-03-06(江苏双良集团自制35kg级蓝宝石长晶炉长晶成功)】乌克兰西奴斯公司泡生炉技术总工尤拉.卡列琴科及中乌双方合作团队对双良蓝宝石长晶炉制作精度和晶体的品质均给予了高度评价，并肯定双良已成功掌握了35kg、85kg两个级别的蓝宝石长晶炉制造技术。

●【2012-03-09(昀丰新能源80公斤级蓝宝石晶体炉全面上市)】浙江昀丰新能源科技有限公司, 香港科瑞斯特有限公司总裁徐永亮近日（2011-08-04）接受高工LED专访时表示，公司LED蓝宝石长晶炉的订单已经达到300台以上，年内出货量预计在200台左右。

●【2011-11-11(大规格LED衬底材料蓝宝石泡生炉)】 由泰州市核心港区的江苏能建集团与中科院上海光机所联合研制的国内首条第三代“蓝宝石泡生晶体炉”生产线顺利批量投产。

§ Si衬底

【2012-01-12（欧司朗首批硅上LED芯片有望两年内投放市场）】欧司朗光电半导体的研发人员成功制造出高性能蓝白光LED原型，当中的氮化镓发光层生长于直径为150 毫米的硅晶圆上。这晶圆以硅代替了目前常用的蓝宝石，获得相等的优异质量。这款全新的LED芯片已经进入试点阶段，将在实际条件下接受测试，这表示欧司朗光电半导体的首批硅上LED 芯片有望在两年内投放市场。由于硅在半导体行业应用广泛，且可实现较大的晶圆直径，再加上其出众的热管理特性，所以照明市场以后必将趋向于选择这种极具吸引力且成本合理的材料。此外，公司制造的LED硅芯片的质量和性能数据可与蓝宝石基芯片相媲美：标准Golden Dragon Plus LED封装中的蓝光UX:3芯片在3.15V时亮度可达634mW，相当于58%的光效。这些都是1mm2芯片在350mA电流下所能达到的较高值。换言之，如果再结合标准封装中的传统荧光粉转换，这些白光LED原型在350mA电流下亮度将达到140lm，色温为4500K时更将实现127lm/W的光效。欧司朗强调，从数学理论来说，目前已可在直径为150mm(6英寸)的晶圆上制造出17,000 颗1mm2大小的LED 芯片。硅晶圆越大，生产效率就越高；欧司朗研发人员已经向世人展示了第一个 200mm(约 8 英寸)的硅基结构。

氮化镓层八英寸硅片crack-free GaN layers on 8-inch silicon wafers

●2011-08-17：Bridgelux公司在美国发表氮化镓上硅（GaN-on-Si）新技术，该新技术将由台积电旗下新公司台积电固态照明公司取得。台积电三年前透过旗下创投投资Bridgelux，正式跨足LED产业，而目前台积电则计划在今年8月1日正式把固态照明业务切割出来设独立公司台积电固态照明公司，进一步强化LED产业布局。

●2011-09-29：美国LED芯片制造商Bridgelux(普瑞光电)公司透露，决定将重心从蓝宝石衬底LED制造转移至成本更低的硅衬底LED制造，因此计划裁掉利弗莫尔总部共250名员工中的53名，约五分之一。 Bridgelux表示，目前公司正逐步减少蓝宝石衬底LED制造，生产方式的转移将使公司生产成本降低75%。 2010年，Bridgelux实现了3500万美元的营业收入。公司2011年的营收目标是8000万美元。Bridgelux期望在18个月内将硅衬底LED投入量产。目前正与一家亚洲公司商谈成立合资公司来从事新一代LED的海外制造。

【2012-05-18（台厂联胜硅基板LED芯片量产 预估Q4月产能500万颗）】

§ SiC衬底

■科锐Cree(拥有1300多项美国专利、2900多项国际专利和389项中国专利) ，北京天科合达蓝光半导体有限公司(SiC)